BSP135L6433HTMA1 | IR (Infineon Technologies) BSP135L6433HTMA1 | BSP135L6433HTMA1 Inventory, Best Pricing

BSP135L6433HTMA1

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भाग संख्या	BSP135L6433HTMA1
LIXINC Part #	BSP135L6433HTMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BSP135L6433HTMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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BSP135L6433HTMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BSP135L6433HTMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	SIPMOS®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	120mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	0V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	45Ohm @ 120mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 94µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	4.9 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	146 pF @ 25 V
fet सुविधा:	Depletion Mode
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.8W (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-SOT223-4
पैकेज / मामला:	TO-261-4, TO-261AA

BSP135L6433HTMA1 दस्तावेज़

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