IRF7807VD2TR | IR (Infineon Technologies) IRF7807VD2TR | IRF7807VD2TR Inventory, Best Pricing

IRF7807VD2TR

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भाग संख्या	IRF7807VD2TR
LIXINC Part #	IRF7807VD2TR
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRF7807VD2TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRF7807VD2TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRF7807VD2TR
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	FETKY™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	8.3A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	25mOhm @ 7A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	14 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
fet सुविधा:	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.5W (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-SO
पैकेज / मामला:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7807VD2TR दस्तावेज़

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