TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40P03M1(T6RSS-Q) | TK40P03M1(T6RSS-Q) Inventory, Best Pricing

TK40P03M1(T6RSS-Q)

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भाग संख्या	TK40P03M1(T6RSS-Q)
LIXINC Part #	TK40P03M1(T6RSS-Q)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 40A DP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TK40P03M1(T6RSS-Q) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TK40P03M1(T6RSS-Q) विशेष विवरण

भाग संख्या:	TK40P03M1(T6RSS-Q)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSVI-H
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	40A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	10.8mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.3V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	17.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1150 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	-
परिचालन तापमान:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DP
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK40P03M1(T6RSS-Q) दस्तावेज़

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