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IRL530NSTRL

IRL530NSTRL
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भाग संख्या IRL530NSTRL
LIXINC Part # IRL530NSTRL
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल IRL530NSTRL पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Jul 02 - Jul 06 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRL530NSTRL विशेष विवरण

भाग संख्या:IRL530NSTRL
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:HEXFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:17A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):4V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:100mOhm @ 9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:34 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:800 pF @ 25 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):3.8W (Ta), 79W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:D2PAK
पैकेज / मामला:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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