ZXMNS3BM832TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

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भाग संख्या	ZXMNS3BM832TA
LIXINC Part #	ZXMNS3BM832TA
उत्पादक	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	ZXMNS3BM832TA पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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ZXMNS3BM832TA विशेष विवरण

भाग संख्या:	ZXMNS3BM832TA
ब्रैंड:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	700mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	2.9 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	314 pF @ 15 V
fet सुविधा:	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1W (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-MLP Dual Die (3x2)
पैकेज / मामला:	8-VDFN Exposed Pad

ZXMNS3BM832TA दस्तावेज़

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