PHB193NQ06T,118 | NXP Semiconductors PHB193NQ06T,118 | PHB193NQ06T,118 Inventory, Best Pricing

PHB193NQ06T,118

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भाग संख्या	PHB193NQ06T,118
LIXINC Part #	PHB193NQ06T,118
उत्पादक	NXP Semiconductors
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	PHB193NQ06T,118 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 05 - Jul 09 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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PHB193NQ06T,118 विशेष विवरण

भाग संख्या:	PHB193NQ06T,118
ब्रैंड:	NXP Semiconductors
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	NXP Semiconductors
शृंखला:	TrenchMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	55 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	75A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4mOhm @ 25A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	85.6 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5082 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	300W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D2PAK
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PHB193NQ06T,118 दस्तावेज़

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