IPI057N08N3 G | IR (Infineon Technologies) IPI057N08N3 G | IPI057N08N3 G Inventory, Best Pricing

IPI057N08N3 G

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भाग संख्या	IPI057N08N3 G
LIXINC Part #	IPI057N08N3 G
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPI057N08N3 G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IPI057N08N3 G विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPI057N08N3 G
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	80 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	80A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	6V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	5.7mOhm @ 80A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 90µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	69 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4750 pF @ 40 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	150W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO262-3
पैकेज / मामला:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI057N08N3 G दस्तावेज़

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