IPB12CNE8N G | IR (Infineon Technologies) IPB12CNE8N G | IPB12CNE8N G Inventory, Best Pricing

IPB12CNE8N G

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भाग संख्या	IPB12CNE8N G
LIXINC Part #	IPB12CNE8N G
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPB12CNE8N G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IPB12CNE8N G विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPB12CNE8N G
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	85 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	67A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	12.9mOhm @ 67A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 83µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	64 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4340 pF @ 40 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	125W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D²PAK (TO-263AB)
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB12CNE8N G दस्तावेज़

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