IRFSL33N15DTRRP | IR (Infineon Technologies) IRFSL33N15DTRRP | IRFSL33N15DTRRP Inventory, Best Pricing

IRFSL33N15DTRRP

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भाग संख्या	IRFSL33N15DTRRP
LIXINC Part #	IRFSL33N15DTRRP
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 150V 33A TO262
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFSL33N15DTRRP पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFSL33N15DTRRP विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFSL33N15DTRRP
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	150 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	33A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	56mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	90 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2020 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.8W (Ta), 170W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-262
पैकेज / मामला:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRFSL33N15DTRRP दस्तावेज़

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