RDN080N25FU6 | ROHM Semiconductor RDN080N25FU6 | RDN080N25FU6 Inventory, Best Pricing

RDN080N25FU6

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भाग संख्या	RDN080N25FU6
LIXINC Part #	RDN080N25FU6
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RDN080N25FU6 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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RDN080N25FU6 विशेष विवरण

भाग संख्या:	RDN080N25FU6
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	250 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	8A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	500mOhm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	30 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	543 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	35W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220FN
पैकेज / मामला:	TO-220-3 Full Pack

RDN080N25FU6 दस्तावेज़

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