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STS26N3LLH6

STS26N3LLH6
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भाग संख्या STS26N3LLH6
LIXINC Part # STS26N3LLH6
उत्पादक STMicroelectronics
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 30V 26A 8SO
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल STS26N3LLH6 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Jul 04 - Jul 08 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STS26N3LLH6 विशेष विवरण

भाग संख्या:STS26N3LLH6
ब्रैंड:STMicroelectronics
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:STMicroelectronics
शृंखला:DeepGATE™, STripFET™ VI
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:26A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:4.4mOhm @ 13A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:40 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:4040 pF @ 25 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):2.7W (Ta)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SO
पैकेज / मामला:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STS26N3LLH6 दस्तावेज़

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