FDD24AN06LA0_SB82179 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD24AN06LA0_SB82179 | FDD24AN06LA0

FDD24AN06LA0_SB82179

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भाग संख्या	FDD24AN06LA0_SB82179
LIXINC Part #	FDD24AN06LA0_SB82179
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	FDD24AN06LA0_SB82179 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 19 - Sep 23 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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FDD24AN06LA0_SB82179 विशेष विवरण

भाग संख्या:	FDD24AN06LA0_SB82179
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	PowerTrench®
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	7.1A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	19mOhm @ 40A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	21 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1850 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	75W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-252AA
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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