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APT10035B2LLG

APT10035B2LLG
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भाग संख्या APT10035B2LLG
LIXINC Part # APT10035B2LLG
उत्पादक Microsemi
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल APT10035B2LLG पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

APT10035B2LLG विशेष विवरण

भाग संख्या:APT10035B2LLG
ब्रैंड:Microsemi
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:Microsemi
शृंखला:POWER MOS 7®
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):1000 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:28A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:350mOhm @ 14A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:186 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:5185 pF @ 25 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):690W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:T-MAX™ [B2]
पैकेज / मामला:TO-247-3 Variant

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