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SSM3J307T(TE85L,F)

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भाग संख्या	SSM3J307T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3J307T(TE85L,F)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 20V 5A TSM
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SSM3J307T(TE85L,F) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SSM3J307T(TE85L,F) विशेष विवरण

भाग संख्या:	SSM3J307T(TE85L,F)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSV
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	5A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	31mOhm @ 4A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	19 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1170 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	700mW (Ta)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TSM
पैकेज / मामला:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SSM3J307T(TE85L,F) दस्तावेज़

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