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NXH35C120L2C2ESG

NXH35C120L2C2ESG
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भाग संख्या NXH35C120L2C2ESG
LIXINC Part # NXH35C120L2C2ESG
उत्पादक Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - आईजीबीटी - मॉड्यूल
विवरण IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल NXH35C120L2C2ESG पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NXH35C120L2C2ESG विशेष विवरण

भाग संख्या:NXH35C120L2C2ESG
ब्रैंड:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - आईजीबीटी - मॉड्यूल
उत्पादक:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Active
आईजीबीटी प्रकार:-
विन्यास:Three Phase Inverter with Brake
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):35 A
शक्ति - मैक्स:20 mW
वीसीई (ऑन) (अधिकतम) @ वीजीई, आईसी:2.4V @ 15V, 35A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):250 µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) @ वीसीई:8.333 nF @ 20 V
इनपुट:Three Phase Bridge Rectifier
एनटीसी थर्मिस्टर:Yes
परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
पैकेज / मामला:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:26-DIP

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