W29N01HVDINA TR | Winbond Electronics Corporation W29N01HVDINA TR

W29N01HVDINA TR

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भाग संख्या	W29N01HVDINA TR
LIXINC Part #	W29N01HVDINA TR
उत्पादक	Winbond Electronics Corporation
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48VFBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	W29N01HVDINA TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

W29N01HVDINA TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	W29N01HVDINA TR
ब्रैंड:	Winbond Electronics Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Winbond Electronics Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FLASH
तकनीकी:	FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी का आकार:	1Gb (128M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	40 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	25ns
पहूंच समय:	25 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	48-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	48-VFBGA (8x6.5)

CY62148ELL-55SXAKJ	ASYNC RAM	1572 अधिक आदेश पर
S-93C76ADFJ-TB-G	IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8SOP	836 अधिक आदेश पर
M93C56-RMN3TP/K	IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SO	3479 अधिक आदेश पर
AS7C34096A-15JIN	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	869 अधिक आदेश पर
IS61WV6416BLL-12BLI-TR	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA	919 अधिक आदेश पर
AT28HC256-70TU-T	IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP	2807 अधिक आदेश पर
AS6C4008A-55TIN	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I	824 अधिक आदेश पर
71V3557S80BG	IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	863 अधिक आदेश पर
AS7C3256A-20JIN	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ	941 अधिक आदेश पर
BR93H86RF-2LBH2	IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SOP	1097 अधिक आदेश पर
MX30UF1G18AC-TI	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP	802 अधिक आदेश पर
SST39WF1601-70-4C-MAQE-T	IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA	875 अधिक आदेश पर
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA	839 अधिक आदेश पर

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