TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

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भाग संख्या	TH58BYG2S3HBAI4
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI4
उत्पादक	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TH58BYG2S3HBAI4 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 21 - Oct 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TH58BYG2S3HBAI4 विशेष विवरण

भाग संख्या:	TH58BYG2S3HBAI4
ब्रैंड:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
शृंखला:	Benand™
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FLASH
तकनीकी:	FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी का आकार:	4Gb (512M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	-
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
पहूंच समय:	-
वोल्टेज आपूर्ति:	-
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	63-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	63-TFBGA (9x11)

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