CY14V116N-BZ30XI

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भाग संख्या	CY14V116N-BZ30XI
LIXINC Part #	CY14V116N-BZ30XI
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 30NS P
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	CY14V116N-BZ30XI पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 11 - Sep 15 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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CY14V116N-BZ30XI विशेष विवरण

भाग संख्या:	CY14V116N-BZ30XI
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	NVSRAM
तकनीकी:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
मेमोरी का आकार:	16Mb (1M x 16)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	30ns
पहूंच समय:	30 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	1.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	165-LBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	165-FBGA (15x17)

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