TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

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भाग संख्या	TH58BYG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI6
उत्पादक	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TH58BYG2S3HBAI6 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 06 - Oct 10 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TH58BYG2S3HBAI6 विशेष विवरण

भाग संख्या:	TH58BYG2S3HBAI6
ब्रैंड:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
शृंखला:	Benand™
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FLASH
तकनीकी:	FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी का आकार:	4Gb (512M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	25ns
पहूंच समय:	25 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	1.7V ~ 1.95V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	67-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	67-VFBGA (6.5x8)

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