R1RW0408DGE-2LR#B1 | Renesas Electronics America R1RW0408DGE-2LR#B1 | R1RW0408DGE-2LR#B1 Inventory, Best Pricing

R1RW0408DGE-2LR#B1

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भाग संख्या	R1RW0408DGE-2LR#B1
LIXINC Part #	R1RW0408DGE-2LR#B1
उत्पादक	Renesas Electronics America
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	R1RW0408DGE-2LR#B1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 26 - Oct 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

R1RW0408DGE-2LR#B1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	R1RW0408DGE-2LR#B1
ब्रैंड:	Renesas Electronics America
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Renesas Electronics America
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	SRAM
तकनीकी:	SRAM
मेमोरी का आकार:	4Mb (512K x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	12ns
पहूंच समय:	12 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	3V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	36-SOJ

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