R1RW0408DGE-2PI#B1 | Renesas Electronics America R1RW0408DGE-2PI#B1 | R1RW0408DGE-2PI#B1 Inventory, Best Pricing

R1RW0408DGE-2PI#B1

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भाग संख्या	R1RW0408DGE-2PI#B1
LIXINC Part #	R1RW0408DGE-2PI#B1
उत्पादक	Renesas Electronics America
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	R1RW0408DGE-2PI#B1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

R1RW0408DGE-2PI#B1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	R1RW0408DGE-2PI#B1
ब्रैंड:	Renesas Electronics America
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Renesas Electronics America
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	SRAM
तकनीकी:	SRAM
मेमोरी का आकार:	4Mb (512K x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	12ns
पहूंच समय:	12 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	3V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	36-SOJ

70V3379S5PRF8	IC SRAM 576KBIT PARALLEL 128TQFP	802 अधिक आदेश पर
IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA	920 अधिक आदेश पर
CAT28C64BH13-12T	IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28TSOP	875 अधिक आदेश पर
IS61NVF51236-7.5B3I-TR	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA	812 अधिक आदेश पर
CY7C1424AV18-250BZCT	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	961 अधिक आदेश पर
IS45S32200E-7BLA1-TR	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	924 अधिक आदेश पर
IS42S32800D-75ETL-TR	IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II	849 अधिक आदेश पर
70V26L55J	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC	918 अधिक आदेश पर
7134LA25J8	IC SRAM 32KBIT PARALLEL 52PLCC	961 अधिक आदेश पर
S25FL127SABMFIZ03	IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC	881 अधिक आदेश पर
W25Q16CVSSJP TR	IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC	931 अधिक आदेश पर
71V3577S65PFGI	IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	876 अधिक आदेश पर
N25Q128A23BSF40F TR	IC FLASH 128MBIT SPI 16SO W	880 अधिक आदेश पर

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