MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

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भाग संख्या	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
उत्पादक	Micron Technology
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 28 - Nov 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
ब्रैंड:	Micron Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Micron Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FLASH
तकनीकी:	FLASH - NAND
मेमोरी का आकार:	512Gb (64G x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	333 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
पहूंच समय:	-
वोल्टेज आपूर्ति:	2.5V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	132-VBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	132-VBGA (12x18)

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