EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

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भाग संख्या	EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
LIXINC Part #	EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
उत्पादक	Micron Technology
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	EDB1316BDBH-1DAUT-F-D पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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EDB1316BDBH-1DAUT-F-D विशेष विवरण

भाग संख्या:	EDB1316BDBH-1DAUT-F-D
ब्रैंड:	Micron Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Micron Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	DRAM
तकनीकी:	SDRAM - Mobile LPDDR2
मेमोरी का आकार:	1Gb (64M x 16)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	533 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
पहूंच समय:	-
वोल्टेज आपूर्ति:	1.14V ~ 1.95V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 125°C (TC)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	134-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	134-VFBGA (10x11.5)

EDB1316BDBH-1DAUT-F-D दस्तावेज़

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