R1RW0416DSB-2PR#B0 | Renesas Electronics America R1RW0416DSB-2PR#B0 | R1RW0416DSB-2PR#B0 Inventory, Best Pricing

R1RW0416DSB-2PR#B0

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भाग संख्या	R1RW0416DSB-2PR#B0
LIXINC Part #	R1RW0416DSB-2PR#B0
उत्पादक	Renesas Electronics America
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	R1RW0416DSB-2PR#B0 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 28 - Nov 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

R1RW0416DSB-2PR#B0 विशेष विवरण

भाग संख्या:	R1RW0416DSB-2PR#B0
ब्रैंड:	Renesas Electronics America
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Renesas Electronics America
शृंखला:	-
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Obsolete
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	SRAM
तकनीकी:	SRAM
मेमोरी का आकार:	4Mb (256K x 16)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	12ns
पहूंच समय:	12 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	3V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	44-TSOP II

MT48LC4M16A2P-7E:G	IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II	897 अधिक आदेश पर
W631GU8KB-12 TR	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA	831 अधिक आदेश पर
IS64WV6416BLL-15BA3-TR	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA	860 अधिक आदेश पर
IS25LD040-JBLE-TR	IC FLASH 4MBIT SPI 100MHZ 8SOIC	837 अधिक आदेश पर
IDT71T75702S75BG8	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	986 अधिक आदेश पर
70121S25J8	IC SRAM 18KBIT PARALLEL 52PLCC	893 अधिक आदेश पर
NMC27C64Q150	IC EPROM 64KBIT PARALLEL 28CDIP	983 अधिक आदेश पर
CY7C1371S-133AXCT	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP	956 अधिक आदेश पर
QMP29GL01GP12TFI020	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP	894 अधिक आदेश पर
MT46H8M32LFB5-6:H	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA	949 अधिक आदेश पर
CY7C136A-55NXIT	IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFP	964 अधिक आदेश पर
N02L63W3AT25IT	IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	876 अधिक आदेश पर
CAT25256VE-GT3C	IC EEPROM 256KB SER SPI 8SOIC	938 अधिक आदेश पर

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