NAND01GW3B2BZA6E

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भाग संख्या	NAND01GW3B2BZA6E
LIXINC Part #	NAND01GW3B2BZA6E
उत्पादक	Micron Technology
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NAND01GW3B2BZA6E पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NAND01GW3B2BZA6E विशेष विवरण

भाग संख्या:	NAND01GW3B2BZA6E
ब्रैंड:	Micron Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Micron Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Obsolete
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FLASH
तकनीकी:	FLASH - NAND
मेमोरी का आकार:	1Gb (128M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	30ns
पहूंच समय:	30 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	63-TFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	63-VFBGA (9x11)

NAND01GW3B2BZA6E दस्तावेज़

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