M30162040108X0PWAR | Renesas Electronics America M30162040108X0PWAR | M30162040108X0PWAR Inventory, Best Pricing

M30162040108X0PWAR

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भाग संख्या	M30162040108X0PWAR
LIXINC Part #	M30162040108X0PWAR
उत्पादक	Renesas Electronics America
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC RAM 16MBIT 108MHZ 8DFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	M30162040108X0PWAR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

M30162040108X0PWAR विशेष विवरण

भाग संख्या:	M30162040108X0PWAR
ब्रैंड:	Renesas Electronics America
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Renesas Electronics America
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	RAM
तकनीकी:	MRAM (Magnetoresistive RAM)
मेमोरी का आकार:	16Mb (4M x 4)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	-
घड़ी की आवृत्ति:	108 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
पहूंच समय:	-
वोल्टेज आपूर्ति:	2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 105°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	8-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-DFN (5x6)

HN58X25128FPIAG#S1	SPI 128K EEPROM (16K X 8-BIT)	38508 अधिक आदेश पर
CG7921AA	IC MICROPOWER SRAM 44TSOP II	890 अधिक आदेश पर
D2716-2	UVPROM	1040 अधिक आदेश पर
MT41K1G8RKB-107:P TR	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA	810 अधिक आदेश पर
AT28LV256E-20SU	AT28LV256E- EEPROM, 32KX8	1948 अधिक आदेश पर
N04L163WC2AT27I	4MB LOW POWER ASYNCHRONOUS SRAM	864 अधिक आदेश पर
EM639165TS-5G	IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II	838 अधिक आदेश पर
S29GL01GT11DHB023	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA	963 अधिक आदेश पर
CG7881AT	SPECIAL	990 अधिक आदेश पर
27LS00AFM/B	STATIC RAM; 256 X 1	1096 अधिक आदेश पर
N25Q032A13ESFA0F	IC FLSH 32MBIT SPI 108MHZ 16SOP2	1974 अधिक आदेश पर
CAT24C32LI	IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8DIP	29581 अधिक आदेश पर
CAT24C128ZGI	IC EEPROM 128KBIT I2C 1MHZ 8MSOP	1691 अधिक आदेश पर

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