EM6A9160TSC-4G

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भाग संख्या	EM6A9160TSC-4G
LIXINC Part #	EM6A9160TSC-4G
उत्पादक	Etron Technology
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	EM6A9160TSC-4G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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EM6A9160TSC-4G विशेष विवरण

भाग संख्या:	EM6A9160TSC-4G
ब्रैंड:	Etron Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Etron Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	DRAM
तकनीकी:	SDRAM - DDR
मेमोरी का आकार:	128Mb (8M x 16)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	250 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	12ns
पहूंच समय:	700 ps
वोल्टेज आपूर्ति:	2.3V ~ 2.7V
परिचालन तापमान:	0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	66-TSOP II

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