MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR

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भाग संख्या	MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR
LIXINC Part #	MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR
उत्पादक	Micron Technology
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 432VFBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 27 - Oct 31 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR विशेष विवरण

भाग संख्या:	MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TR
ब्रैंड:	Micron Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Micron Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	DRAM
तकनीकी:	SDRAM - Mobile LPDDR4
मेमोरी का आकार:	32Gb (512M x 64)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	-
घड़ी की आवृत्ति:	1.866 GHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
पहूंच समय:	-
वोल्टेज आपूर्ति:	1.1V
परिचालन तापमान:	-30°C ~ 85°C (TC)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	432-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	432-VFBGA (15x15)

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