MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

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भाग संख्या	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
उत्पादक	Fujitsu Electronics America, Inc.
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 26 - Oct 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
ब्रैंड:	Fujitsu Electronics America, Inc.
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Fujitsu Electronics America, Inc.
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Obsolete
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FRAM
तकनीकी:	FRAM (Ferroelectric RAM)
मेमोरी का आकार:	256Kb (32K x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	150ns
पहूंच समय:	150 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	-
पैकेज / मामला:	-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	-

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