H11A817W | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor H11A817W

H11A817W

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भाग संख्या	H11A817W
LIXINC Part #	H11A817W
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	आइसोलेटरों › ऑप्टोइसोलेटर - ट्रांजिस्टर, फोटोवोल्टिक आउटपुट
विवरण	OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	H11A817W पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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H11A817W विशेष विवरण

भाग संख्या:	H11A817W
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	आइसोलेटरों
उपश्रेणी:	ऑप्टोइसोलेटर - ट्रांजिस्टर, फोटोवोल्टिक आउटपुट
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
चैनलों की संख्या:	1
वोल्टेज - अलगाव:	5300Vrms
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम):	50% @ 5mA
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम):	600% @ 5mA
समय चालू / बंद करें (टाइप):	-
उठने / गिरने का समय (टाइप):	2.4µs, 2.4µs
निवेष का प्रकार:	DC
उत्पादन का प्रकार:	Transistor
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम):	70V
वर्तमान - आउटपुट / चैनल:	50mA
वोल्टेज - आगे (vf) (टाइप):	1.2V
करंट - डीसी फॉरवर्ड (अगर) (अधिकतम):	50 mA
वीसीई संतृप्ति (अधिकतम):	200mV
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 100°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	4-DIP (0.400", 10.16mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	4-DIP

H11A817W दस्तावेज़

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