SIHD3N50D-GE3 | Vishay / Siliconix SIHD3N50D-GE3 | SIHD3N50D-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHD3N50D-GE3

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भाग संख्या	SIHD3N50D-GE3
LIXINC Part #	SIHD3N50D-GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SIHD3N50D-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SIHD3N50D-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SIHD3N50D-GE3
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	500 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	3.2Ohm @ 2.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	12 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	175 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	69W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-252AA
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHD3N50D-GE3 दस्तावेज़

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समय सीमा	पुष्टि की
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100	$0.65451	$65.451
500	$0.48481	$242.405
1000	$0.38785	$387.85
3000	$0.35149	$1054.47
6000	$0.32725	$1963.5

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