IPB80P03P4L07ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB80P03P4L07ATMA1 | IPB80P03P4L07ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB80P03P4L07ATMA1

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भाग संख्या	IPB80P03P4L07ATMA1
LIXINC Part #	IPB80P03P4L07ATMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPB80P03P4L07ATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IPB80P03P4L07ATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPB80P03P4L07ATMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Not For New Designs
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	80A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	6.9mOhm @ 80A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 130µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	80 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	+5V, -16V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5700 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	88W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO263-3-2
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80P03P4L07ATMA1 दस्तावेज़

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