IRF7799L2TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7799L2TRPBF | IRF7799L2TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7799L2TRPBF

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भाग संख्या	IRF7799L2TRPBF
LIXINC Part #	IRF7799L2TRPBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRF7799L2TRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRF7799L2TRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRF7799L2TRPBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	250 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	375A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	38mOhm @ 21A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	165 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	6714 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	4.3W (Ta), 125W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DIRECTFET L8
पैकेज / मामला:	DirectFET™ Isometric L8

IRF7799L2TRPBF दस्तावेज़

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