FDN028N20 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN028N20

FDN028N20

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भाग संख्या	FDN028N20
LIXINC Part #	FDN028N20
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	FDN028N20 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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FDN028N20 विशेष विवरण

भाग संख्या:	FDN028N20
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6.1A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	28mOhm @ 5.2A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	6 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	600 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.5W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SuperSOT-3
पैकेज / मामला:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDN028N20 दस्तावेज़

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