RV2C002UNT2L

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भाग संख्या RV2C002UNT2L
LIXINC Part # RV2C002UNT2L
उत्पादक ROHM Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालकट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल RV2C002UNT2L पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RV2C002UNT2L विशेष विवरण

भाग संख्या:RV2C002UNT2L
ब्रैंड:ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:ROHM Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:180mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):1.2V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:2Ohm @ 150mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:-
वीजीएस (अधिकतम):±10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:12 pF @ 10 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):100mW (Ta)
परिचालन तापमान:150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DFN1006-3 (VML1006)
पैकेज / मामला:SC-101, SOT-883

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