2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK209-Y(TE85L,F) | 2SK209-Y(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK209-Y(TE85L,F)

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भाग संख्या	2SK209-Y(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-Y(TE85L,F)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	2SK209-Y(TE85L,F) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 27 - Oct 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

2SK209-Y(TE85L,F) विशेष विवरण

भाग संख्या:	2SK209-Y(TE85L,F)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	10 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	14mA
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	-
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	-
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	13 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	150mW
परिचालन तापमान:	125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SC-59
पैकेज / मामला:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2SK209-Y(TE85L,F) दस्तावेज़

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