IRF6795MTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF6795MTRPBF | IRF6795MTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF6795MTRPBF

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भाग संख्या	IRF6795MTRPBF
LIXINC Part #	IRF6795MTRPBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRF6795MTRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRF6795MTRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRF6795MTRPBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	32A (Ta), 160A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.8mOhm @ 32A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.35V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	53 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4280 pF @ 13 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.8W (Ta), 75W (Tc)
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DIRECTFET™ MX
पैकेज / मामला:	DirectFET™ Isometric MX

IRF6795MTRPBF दस्तावेज़

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