SI8824EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix SI8824EDB-T2-E1 | SI8824EDB-T2-E1 Inventory, Best Pricing

SI8824EDB-T2-E1

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भाग संख्या	SI8824EDB-T2-E1
LIXINC Part #	SI8824EDB-T2-E1
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SI8824EDB-T2-E1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SI8824EDB-T2-E1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SI8824EDB-T2-E1
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	TrenchFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2.1A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.2V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	75mOhm @ 1A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	800mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	6 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	400 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	500mW (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	4-Microfoot
पैकेज / मामला:	4-XFBGA

SI8824EDB-T2-E1 दस्तावेज़

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समय सीमा	पुष्टि की
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3000	$0.13258	$397.74
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15000	$0.11651	$1747.65
30000	$0.10687	$3206.1
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