TK5Q65W,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK5Q65W,S1Q

TK5Q65W,S1Q

बड़े आकार में

केवल संदर्भ के लिए

भाग संख्या	TK5Q65W,S1Q
LIXINC Part #	TK5Q65W,S1Q
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TK5Q65W,S1Q पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

TK5Q65W,S1Q विशेष विवरण

भाग संख्या:	TK5Q65W,S1Q
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	DTMOSIV
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	5.2A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.22Ohm @ 2.6A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 170µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	10.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	380 pF @ 300 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	60W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	I-PAK
पैकेज / मामला:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

TK5Q65W,S1Q दस्तावेज़

जिन उत्पादों में आपकी रुचि हो सकती है

IRL2203NPBF-INF	HEXFET POWER MOSFET	810 अधिक आदेश पर
NVMFS5C430NLWFAFT3G	MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN	10805 अधिक आदेश पर
SI7806ADN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8	910 अधिक आदेश पर
IXTH48P20P	MOSFET P-CH 200V 48A TO247	2975 अधिक आदेश पर
SI4776DY-T1-GE3	MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO	2708 अधिक आदेश पर
AOSS32136C	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3	15190 अधिक आदेश पर
3LN01S-K-TL-E	MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP	126832 अधिक आदेश पर
ZXM61N02FTC	MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3	10816 अधिक आदेश पर
FQI27N25TU	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	23839 अधिक आदेश पर
NVTFS5C466NLTAG	MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN	927 अधिक आदेश पर
STP8N80K5	MOSFET N CH 800V 6A TO220	1987 अधिक आदेश पर
FQP9N08	MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3	3953 अधिक आदेश पर
FDMC610P	MOSFET P-CH 12V 80A POWER33	8040 अधिक आदेश पर

त्वरित पूछताछ

स्टॉक में	10836 - अधिक आदेश पर
उद्धरण सीमा	कोई सीमा नहीं
समय सीमा	पुष्टि की
न्यूनतम	1

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

मूल्य निर्धारण (USD)

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.01640	$1.0164
75	$0.73949	$55.46175

Lixinc आपके लिए सबसे अधिक प्रतिस्पर्धी कीमतों की पेशकश करेगा, कृपया कोटेशन देखें।

संपर्क करें

हमें कॉल करें

E-MAIL

[email protected]

SKYPE

LIXINC

संदेश

मेसेज भेजें

विवरण के लिए हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

हमारे प्रमाण पत्र

ISO9001:2015 & ISO14001:2015