RSD100N10TL | ROHM Semiconductor RSD100N10TL | RSD100N10TL Inventory, Best Pricing

RSD100N10TL

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भाग संख्या	RSD100N10TL
LIXINC Part #	RSD100N10TL
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RSD100N10TL पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 09 - Oct 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
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RSD100N10TL विशेष विवरण

भाग संख्या:	RSD100N10TL
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Not For New Designs
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	10A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	133mOhm @ 5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	18 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	700 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	20W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	CPT3
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RSD100N10TL दस्तावेज़

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