केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | FQI10N60CTU |
LIXINC Part # | FQI10N60CTU |
उत्पादक | Rochester Electronics |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | FQI10N60CTU पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | ![]() |
शिपिंग | ![]() |
भाग संख्या: | FQI10N60CTU |
ब्रैंड: | Rochester Electronics |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | Rochester Electronics |
शृंखला: | QFET® |
पैकेट: | Tube |
भाग की स्थिति: | Obsolete |
एफईटी प्रकार: | N-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 600 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 9.5A (Tc) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 10V |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 4V @ 250µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 57 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±30V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 2.04 pF @ 25 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Through Hole |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | I2PAK (TO-262) |
पैकेज / मामला: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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BSP318SH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 | 3890 अधिक आदेश पर |
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DMTH62M8LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 943 अधिक आदेश पर |
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AUIRF7734M2TR | MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 | 5780 अधिक आदेश पर |
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SIDR622DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK | 2354 अधिक आदेश पर |
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IRF9640SPBF | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | 1120 अधिक आदेश पर |
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IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO264 | 2838 अधिक आदेश पर |
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DMT3006LFVQ-7 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | 819 अधिक आदेश पर |
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IXTH30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | 1745 अधिक आदेश पर |
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SI4425BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO | 11378 अधिक आदेश पर |
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SQJQ100EL-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | 2841 अधिक आदेश पर |
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RM2309 | MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23 | 809 अधिक आदेश पर |
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SI3440ADV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | 4611 अधिक आदेश पर |
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CSD18535KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | 1384 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 56199 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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