SIRC18DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIRC18DP-T1-GE3 | SIRC18DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIRC18DP-T1-GE3

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भाग संख्या	SIRC18DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIRC18DP-T1-GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SIRC18DP-T1-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SIRC18DP-T1-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SIRC18DP-T1-GE3
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	TrenchFET® Gen IV
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	60A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.1mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	111 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	+20V, -16V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5060 pF @ 15 V
fet सुविधा:	Schottky Diode (Body)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	54.3W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerPAK® SO-8
पैकेज / मामला:	PowerPAK® SO-8

SIRC18DP-T1-GE3 दस्तावेज़

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