IPI70N10S3L12AKSA1 | Rochester Electronics IPI70N10S3L12AKSA1 | IPI70N10S3L12AKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI70N10S3L12AKSA1

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भाग संख्या	IPI70N10S3L12AKSA1
LIXINC Part #	IPI70N10S3L12AKSA1
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPI70N10S3L12AKSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IPI70N10S3L12AKSA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPI70N10S3L12AKSA1
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	70A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	12.1mOhm @ 70A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.4V @ 83µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	80 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5.55 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	125W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO262-3
पैकेज / मामला:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI70N10S3L12AKSA1 दस्तावेज़

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