TK31V60W5,LVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

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भाग संख्या	TK31V60W5,LVQ
LIXINC Part #	TK31V60W5,LVQ
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TK31V60W5,LVQ पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TK31V60W5,LVQ विशेष विवरण

भाग संख्या:	TK31V60W5,LVQ
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	DTMOSIV
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	30.8A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	109mOhm @ 15.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4.5V @ 1.5mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	105 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3000 pF @ 300 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	240W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	4-DFN-EP (8x8)
पैकेज / मामला:	4-VSFN Exposed Pad

TK31V60W5,LVQ दस्तावेज़

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