NTD4909N-35G | Rochester Electronics NTD4909N-35G | NTD4909N-35G Inventory, Best Pricing

NTD4909N-35G

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भाग संख्या	NTD4909N-35G
LIXINC Part #	NTD4909N-35G
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NTD4909N-35G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NTD4909N-35G विशेष विवरण

भाग संख्या:	NTD4909N-35G
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	8.8A (Ta), 41A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	8mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	17.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1.314 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	I-PAK
पैकेज / मामला:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

NTD4909N-35G दस्तावेज़

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