TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Inventory, Best Pricing

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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भाग संख्या	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
LIXINC Part #	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) विशेष विवरण

भाग संख्या:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSVI
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	8A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	6V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	104mOhm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	19 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	+10V, -20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	890 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	27W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DPAK+
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) दस्तावेज़

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