DMTH10H010SPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH10H010SPSQ-13 | DMTH10H010SPSQ-13 Inventory, Best Pricing

DMTH10H010SPSQ-13

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भाग संख्या	DMTH10H010SPSQ-13
LIXINC Part #	DMTH10H010SPSQ-13
उत्पादक	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	DMTH10H010SPSQ-13 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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DMTH10H010SPSQ-13 विशेष विवरण

भाग संख्या:	DMTH10H010SPSQ-13
ब्रैंड:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	11.8A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	6V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	8.8mOhm @ 13A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	56.4 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4468 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.5W (Ta), 166W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerDI5060-8
पैकेज / मामला:	8-PowerTDFN

DMTH10H010SPSQ-13 दस्तावेज़

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