DMN30H4D0LFDE-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

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भाग संख्या	DMN30H4D0LFDE-7
LIXINC Part #	DMN30H4D0LFDE-7
उत्पादक	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	DMN30H4D0LFDE-7 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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DMN30H4D0LFDE-7 विशेष विवरण

भाग संख्या:	DMN30H4D0LFDE-7
ब्रैंड:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	300 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	550mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	2.7V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4Ohm @ 300mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.8V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	7.6 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	187.3 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	630mW (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	U-DFN2020-6 (Type E)
पैकेज / मामला:	6-PowerUDFN

DMN30H4D0LFDE-7 दस्तावेज़

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