RQ6C065BCTCR | ROHM Semiconductor RQ6C065BCTCR | RQ6C065BCTCR Inventory, Best Pricing

RQ6C065BCTCR

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भाग संख्या	RQ6C065BCTCR
LIXINC Part #	RQ6C065BCTCR
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RQ6C065BCTCR पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

RQ6C065BCTCR विशेष विवरण

भाग संख्या:	RQ6C065BCTCR
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6.5A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	21mOhm @ 6.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	22 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1520 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.25W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TSMT6 (SC-95)
पैकेज / मामला:	SC-95-6

RQ6C065BCTCR दस्तावेज़

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