IRFHS8342TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFHS8342TRPBF | IRFHS8342TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFHS8342TRPBF

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भाग संख्या	IRFHS8342TRPBF
LIXINC Part #	IRFHS8342TRPBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFHS8342TRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFHS8342TRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFHS8342TRPBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	8.8A (Ta), 19A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	16mOhm @ 8.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	8.7 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	600 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.1W (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TSDSON-6
पैकेज / मामला:	6-PowerVDFN

IRFHS8342TRPBF दस्तावेज़

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